В Samsung открыли материал для создания карты памяти нового поколения
В открытии нового материала приняли участие специалисты из Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и их коллеги из Кембриджского университета. Новинку будет использовать компания Samsung в создании флеш-памяти NAND и оперативки DRAM.
В открытии нового материала приняли участие специалисты из Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и их коллеги из Кембриджского университета. Новинку будет использовать компания Samsung в создании флеш-памяти NAND и оперативки DRAM.
